半导体生产用剧毒气体解毒技术的研究
在半导体制造过程中,需要使用大量有毒性气体,如SiH4、B2H6、Si2H6.GeH4、PH3、CH3Br、H2S、H2Se、AsH3等。这些气体易燃、易爆、有毒对人身及环境有相当的危害,为了确保产IC等新型半导体材料产业顺利发展,开展气体解毒研究意义重大。传统上采用酸、碱、氧化剂的湿法工艺,存在许多弊病,近年来。剧毒气体干法解毒技术发展迅猛,本文介绍了该技术的原理,希望国产解毒装置能适应IC发展要求.
半导体 剧毒有害气体 干法解毒
孙福楠 吴江红 柳蔚 李应辉 冯庆祥
光明化工研究设计院,辽宁 大连 481信箱 116031
国内会议
南昌
中文
91-93
2008-11-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)