CMOS电路瞬态电流测试及其解析模型研究
CMOS电路瞬态电流(IDDT)测试技术，在超高速高可靠芯片故障诊断领域有着良好的应用前景。 由于芯片上集成度和工作速度越来越高，IDDT迅速增长，降低了其性能和可靠性，研究IDDT快速准确计算方法具有较强的应用需求。本文介绍了CMOS电路IDDT测试技术的发展及其基本原理和方法，深入分析了CMOS电路电流成份和特性，利用PSPICE及MOSFET仿真模型，建立了具有较高精度的瞬态电流解析模型。提出撬杠电流(“crowbar”)相对于电容充电电流，在高速下不仅不小甚至可能更大，在电流分析时不可忽略。
CMOS电路 瞬态电流测试 解析模型 芯片故障诊断
焦慧芳 陈新军 张晓松
信息产业部电子第五研究所，广州 510610
国内会议
武汉
中文
2-5
2008-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）