热分析在碳化硅粉体氧化动力学研究中的应用
采用热重法研究了粒度为600＃和4000#的两种SiC粉体的氧化行为,并对其在1150℃、1200℃和1250℃下进行了等温氧化动力学计算，其氧化活化能分别为196．1KJ／mol和150．4．1KJ／mol。结果表明，SiC粉的氧化行为符合抛物线规律，并与粉体的粒径有关。SiC粉体粒径越小，比表面积越大，其抛物线常数K值越小，氧化反应速度越快，氧化反应活化能越小。SiC粉体的氧化机理为O2分子在氧化层中的扩散渗透控制。
热分析 碳化硅 等温氧化 非等温氧化 动力学
雷海波 肖汉宁 郭文明 谢文
湖南大学材料科学与工程学院,长沙 410082
国内会议
江西宜春
中文
241-245
2008-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）