氧、氩分压对直流反应溅射制备ZAO薄膜的性能影响

摘要：

采用直流反应磁控溅射技术，制备获得ZAO薄膜，研究氧分压、氩分压关键制备工艺参数对ZAO薄膜的组织结构、光、电性能的影响，并获得了最佳的氧、氩分压制备参数，利用该参数制备ZAO薄膜，能够获得在可见光范围内的平均透射率>85％，最低电阻率为4.5×10-4Ωcm的ZAO薄膜，其光电性能均满足应用需求.

关键词： ZAO薄膜 直流反应溅射 氧分压 氩分压

作者: 陆峰 徐成海 闻立时 吴玉厚

作者单位: 沈阳建筑大学 交通与机械工程学院,辽宁 沈阳 110168 东北大学 机械工程与自动化学院,辽宁 沈阳 110004 中国科学院金属研究所,辽宁 沈阳 110015

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届全国光电技术学术交流会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 7-10

在线出版日期: 2010-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）