一种新结构硅光电倍增器(SiPM)及其应用研究

摘要：

报道了采用外延层体电阻为雪崩淬灭电阻的新结构硅光电倍增器(SiPM)的实验研究结果。器件具有高达104/mm2的APD单元密度，在460nm波长处的最大探测效率达到25.6％。与现有位于器件表面的多晶硅条为淬灭电阻的SiPM相比，其优点在于几何填充因子高、探测效率和动态范围能够得到较好的兼顾，并且制作工艺简单。报道了将其实际应用于辉光放电检测的结果。

关键词： 硅光电倍增器 盖革模式APD 极微弱光信号探测 辉光放电

作者: 韩德俊 张国青 胡小波 殷登平 胡春周 梁琨 杨茹

作者单位: 北京师范大学 核科学与技术学院 北京市辐射中心,北京 100875

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届全国光电技术学术交流会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 23-26

在线出版日期: 2010-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）