CMOS工艺兼容红外焦平面阵列的设计及制作

摘要：

研究了一种与CMOS工艺兼容的红外焦平面阵列，在SOI的项层硅制作横向PN结敏感单元，多晶硅作为微像素支撑桥，氧化层和非晶硅填充的深槽作为XeF2释放阻挡结构。首先，对基于PN结温阻效应的器件的基本工作原理进行了分析探索;在此基础上，通过ISE-TCAD软件仿真得到了器件在300K～340K温度区间PN结正向I-V曲线，并通过参数提取得到了温度灵敏度;最后，采用SOI基底片在CSMC的0.8um标准CMOS工艺线成功进行流片，给出了器件制作及测试结果，测试和模拟结果吻合.

关键词： 红外焦平面阵列 CMOS工艺 器件制作

作者: 明安杰 陈大鹏 欧文 王玮冰 何伟 刘占峰

作者单位: 中国科学院 微电子研究所集成电路先导工艺研发中心 微电子器件与集成技术重点实验室,北京 100029

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届全国光电技术学术交流会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 27-30

在线出版日期: 2010-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）