国产MOS电阻阵列动态红外景像产生器新进展
为满足国内军用红外仿真系统的需求，研制了单片式高帧频256×256电阻阵列器件和混成式高占空比128×128电阻阵列器件。介绍了研制目标、技术实现途径、器件主要结构、性能仿真结果和最新进展。单片式256×256器件采用商业化标准CMOS工艺配合简单无掩模腐蚀工艺制造，混成式128×128器件则采用标准CMOS工艺和定制工艺分别制造电路芯片和电阻阵列芯片，然后加以互联。目前两种器件已成功完成第一阶段制造，后续制造流程、工艺改进和封装测试工作正在展开。初步结果表明，国内先进的商业化标准CMOS工艺将可继续在第一代电阻阵列器件研制中发挥重要作用，混成工艺则有望成为国内引领第二代电阻阵列器件发展的主流技术。
动态红外景像产生器 电阻阵列 标准CMOS工艺 混成工艺 单片工艺
马斌 程正喜 刘强
中国科学院 上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083
国内会议
北京
中文
281-286
2010-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）