以W合金作为缓释层Cf/SiC与TC4真空钎焊研究
以W合金作为缓释层，采用真空钎焊方法，通过两步焊接过程实现了Cf/SiC与TC4的连接.首先采用单层Ti-13Zr-21Cu-9Ni非晶态箔带钎料进行TC4与W的连接，工艺规范选为930℃/20min；在完成第一次热循环之后，采用Ag-27.4Cu-4.4Ti钎料进行Cf/SiC与W的钎焊，工艺规范选为880℃/10min.实验结果表明，在该工艺规范下不但实现了Cf/SiC与TC4接头的成功连接，而且接头界面结合完好.由于W有效缓解了接头中的应力，使得接头的三点抗弯强度平均值达到144.4MPa.SEM和XEDS分析结果显示，在Cf/SiC与W的钎缝中，Ti在靠近Cf/SiC母材的区域形成了较为连续的扩散反应层，在该反应层中Ti与C发生反应生成TiC相，另外一部分与SiC发生反应，生成Ti-Si相；TC4与W的钎缝中形成了大量的针状组织，且Zr和Ni两种元素扩散较为充分.
Cf/SiC TC4接头 真空钎焊 缓释层 钨合金
陈波 熊华平 程耀永 毛唯 郭万林 叶雷
北京航空材料研究院 焊接及锻压工艺研究室,北京 100095
国内会议
郑州
中文
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2009-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）