Si/SiGe/Si-SOI异质结构中位错偶极子的高分辨像

摘要：

外延层的应变弛豫是材料物理的传统问题。Merwe与Matthews和Blakeslee的经典工作解决了均匀应变外延层在平衡状态下位错形核的临界厚度问题。随着外延层结构的复杂化，失配应变的弛豫也出现了新的形式，例如：在厚SiGe缓冲层和绝缘体上SiGe层上生长的应变硅中观察到堆垛层错，在体Si衬底上应变Si/SiGe异质外延结构和晶格匹配的异质外延结构中分别观察到由两根平行失配位错构成的位错偶极子。本文利用高分辨电子显微镜(HREM)对SOI衬底上应变Si/SiGe/Si异质结构的横截面进行高分辨观察，发现存在三种类型的位错偶极子。

关键词： 异质结构 位错偶极子 高分辨像

作者: 马通达 刘安生 邵贝羚 屠海令

作者单位: 北京有色金属研究总院,北京 100088

会议类型: 国内会议

会议名称: 2010年全国电子显微学会议暨第八届海峡两岸电子显微学研讨会

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 55-56

在线出版日期: 2010-10-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）