InχGa1-χN/GaN界面结构高分辨TEM模拟像
InGaN材料是用于中短波长光电器件的重要材料，可以通过调节In浓度实现带隙宽度在0.7—3.4eV之间变化从而覆盖红外到紫外波段，是用于中短波长光电器件的重要材料，在蓝绿LED、太阳能电池等器件方面有广阔前景。现阶段InGaN材料主要是在GaN衬底上外延得到，但在In浓度较高时会出现相分离和In原子的偏聚严重影响晶体质量。在生长过程中InxGaI-xN/GaN的界面结构对晶体质量起到至关重要的作用，而对其界面结构深入研究的需求也日益迫切。
InGaN材料 中短波长光电器件 界面结构 晶体质量
石林 张锦平
中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,江苏 苏州 215125
国内会议
2010年全国电子显微学会议暨第八届海峡两岸电子显微学研讨会
杭州
中文
64-65
2010-10-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）