Er2O3/Si薄膜界面层研究
在半导体器件领域，稀土氧化物Erz0，由于具有高的介电常数、大的带隙、与Si又有大的能带偏移、漏电流小以及良好的界面热稳定性，是替代栅介质氧化硅的理想材料。然而，通常在稀土族氧化物生长过程中会有一层界面层，与生长的氧化物层组成串联电路，如果这一界面层的介电常数低且较厚，就会影响整体薄膜的电容。本文利用透射电子显微技术(TEM)研究了用激光分子外延（Laser-MBE）法在Si(001)衬底上生长的的Er2O3薄膜。研究发现在Er203与Si界面存在一个原子排列混乱的约2 nm厚的界面层，与通常具有较低的介电常数的氧化硅非晶界面层不同，这一界面层的成分主要是Er和0.以及少量的Si。
半导体器件 稀土氧化物 硅衬底
汪雪 朱银莲 马秀良
中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室,辽宁 沈阳 110016
国内会议
2010年全国电子显微学会议暨第八届海峡两岸电子显微学研讨会
杭州
中文
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2010-10-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）