AlN/SiC(0001)高分辨电子显微像的研究

摘要：

对界面区域E，做了滤波和解卷处理，由于未做衍射振幅校正处理，得到的解卷像不能辨认出各个原子柱的相对位置，但根据完整区的解卷结果，通过观察各个哑铃对的灰度变化与相对位置，初步确定出AIN/6H-SiC的界面结构。为了得到更好的结果，需要再拍摄高分辨像，把束倾斜和晶体倾斜调整至最佳状态。当然，欲取得原子分辨的界面结构，最佳方案是用球差矫正电镜结合解卷处理。工作尚在进行中。

关键词： 高分辨电子显微像 氮化铝 碳化硅 界面结构

作者: 崔彦祥 王玉梅 李方华

作者单位: 中国科学院物理研究所,北京凝聚态物理国家实验室,北京 100190

会议类型: 国内会议

会议名称: 2010年全国电子显微学会议暨第八届海峡两岸电子显微学研讨会

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 80-81

在线出版日期: 2010-10-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）