准一维材料NbSe3的微结构和电荷密度波研究

摘要：

低维材料可以表现出三维材料所不具有的很多物理特性，自从上世纪六七十年代以来，低维材料中的新奇物理现象和结构相变一直是凝聚态物理研究的热点之一。NbSe3是一种典型的准一维材料，每个Nb原子与其最近邻的Se原子构成Nb-Se三棱柱结构，每个单胞内含六个三棱柱，并沿b方向堆垛形成一维链，各个链之间以较弱的Van der Waals键结合。电输运性质测量发现该材料在145K和50K附近存在明显电阻率反常，对应于两个电荷密度波(CDW)转变。伴随145K处的电荷密度波的出现，实验可以观察到了明显的非公度调制结构。目前，针对电荷密度波在50K附近引起的结构变化的研究。

关键词： 准一维材料 微结构 电荷密度波

作者: 施洪龙 杨槐馨 田焕芳 王秩伟 秦元斌 宋源军 李建奇

作者单位: 中国科学院物理研究所,北京凝聚态物理国家实验室,北京 100190

会议类型: 国内会议

会议名称: 2010年全国电子显微学会议暨第八届海峡两岸电子显微学研讨会

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 101-102

在线出版日期: 2010-10-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）