纳米结构铁电膜的制备、物性和微结构表征

摘要：

纳米结构的铁电薄膜在非挥发铁电随机存储器(NV-FeRAM)方面具有重要的应用价值，在世界范围内受到广泛关注。NV-FeRAM具有非易失性、耐辐照能力强、低功耗和数据传输快等优点，广泛应用于便携式电子产，如个人数据智能卡、数码摄像机、手提电脑等。近年来随着FeRAM的存储密度不断增加，铁电存储单元的特征尺寸不断缩小，目前已进入纳米尺度。例如，存储密度在10千兆位每平方英寸的NV-FeRAM，每个存储单元的横向尺寸都<lOO nm，这意味着铁电电容器的横向尺寸在100 nm以下。根据2005年国际半导体工业协会公布的FeRAM最新发展路线图(ITRS)可知，2010年FeRAM的特征尺寸将在50 nm以下，因此纳尺度铁电电容器制备、物理性能测试及微结构表征已成为开发高密度FeRAMs亟待解决的关键问题。

关键词： 纳米结构 铁电膜 制备工艺 微结构表征

作者: 朱信华 杭启明 宋晔 朱健民 周舜华 刘治国

作者单位: 南京大学物理学院固体微结构物理国家重点实验室,江苏 南京 210093

会议类型: 国内会议

会议名称: 2010年全国电子显微学会议暨第八届海峡两岸电子显微学研讨会

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 136-137

在线出版日期: 2010-10-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）