射频磁控溅射法制备ZnO压电薄膜及其性能分析
采用射频磁控溅射法制备了ZnO压电薄膜，并在双面抛光的熔融石英基片上制备了高次谐波体声波谐振器进行性能验证。X射线衍射结果显示ZnO压电薄膜C轴择优取向明显，衍射峰半高宽为0.18°，显示出较好的结晶质量。高次谐波体声波谐振器的电学测试结果显示器件具有很好的多模谐振特性，说明ZnO压电薄膜很好地激发出了厚度方向的纵声波。通过拟合实测输入阻抗曲线得到ZnO压电薄膜在1.4095GHz时的介电常数约为8.2，介电损耗因子为0.017，说明采用射频磁控溅射方法制备的ZnO压电薄膜性能优良。
ZnO压电薄膜 射频磁控溅射 X射线衍射 体声波谐振器
汤亮 郝震宏 齐敏 孙泉 乔东海
中国科学院声学研究所,北京,100190
国内会议
云南腾冲
中文
431-434
2010-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）