LTCC内埋置电容的修正π模型研究

摘要：

小型化无源元件内埋技术是实现系统集成封装（SIP）的重要手段。本文基于低温共烧陶瓷（LTCC）技术，在传统平行板单π模型基础上，结合寄生效应和工艺参数，将LTCC 内埋置电容的引出端和通孔分别提取作为修正参数，建立一种适用于SIP内埋置电容的单π修正模型，通过优化仿真，该模型应用频率范围可以准确到7GHz，远超过电容的自谐振频率，具有简单实用，准确度高等优点，对LTCC 内埋置技术基础研究具有参考价值。

关键词： 低温共烧陶瓷 内埋置电容 单π修正模型 优化仿真

作者: 范海涛 徐自强

作者单位: 电子科技大学电子科学与技术学院 四川成都 611731

会议类型: 国内会议

会议名称: 2010年中国电子制造技术论坛

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 1-4

在线出版日期: 2010-12-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）