基于金基共晶钎料的毫米波T/R组件连接技术研究
本文对Au-Sn及Au-Ge二元合金相图、Au-Sn及Au-Ge共晶钎料的综合性能进行了简单介绍，讨论了Au-Sn 及Au-Ge 共晶钎料在芯片封装领域的应用。基于金基共晶钎料（Au-Sn、Au-Ge）采用BTU 烧结炉研究了毫米波T/R组件连接技术，重点研究了芯片共晶焊接技术和组件气密封装技术。试验结果表明，共晶焊接试验芯片通过x-ray 检测焊透率达到95％以上，焊接接头剪切强度满足国军标要求；组件气密封装试验组件气密性达到10-10Pa·m3/s，毫米波T/R组件电性能测试满足设计要求。
金基共晶钎料 二元合金相图 毫米波 T/R组件连接 焊接接头 剪切强度
许立讲 李孝轩 刘刚 严伟
南京电子技术研究所,江苏南京 210039
国内会议
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2010-12-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）