高温离子注入靶盘设计简介

摘要：

本文介绍了高温离子注入靶室的设计。通过设计辅助加热装置使离子注入时晶片表面温度达到500℃以上，并通过靶盘旋转和往返平移扫描的方式实现了晶片片内和片间的温度均匀性，满足了碳化硅掺杂、SOI晶片制造等特殊需要。

关键词： 高温离子注入靶室 晶片爪 靶盘设计 热分析

作者: 颜秀文 贾京英 刘咸成 王慧勇

作者单位: 中国电子科技集团公司第四十八研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 2010年中国电子制造技术论坛

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 1-4

在线出版日期: 2010-12-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）