應用於5.8 GHz WiMAX無線傳輸之轉導提升的Colpitts VCO晶片設計
本研究使用转导提升(Gm-boosting)技术及TSMC 0.18um CMOS 1P6M 制程来设计应用於 WiMAX 之Colpitts 压控振荡器(VCO)，相较於一般NMOS cross-coupled VCO与complementary cross- coupled VCO，本设计电路有较佳的相杂讯(phase noise)，且该VCO 使用转导提升的技术，电路能够设计在比较小的电流下达到起振，所以能降低功率消秏。晶片实测的振荡频率可调范围(tuning range) 为5.29~6.07 GHz，在5.73 GHz 下，输出功率为-6.67dBm，相杂讯在1MHz 偏移下为-123.4 dBc/Hz，在供应电源电压为1V 下，核心电路的功率消耗为4.7 mW，包含PADs 的晶片面积为0.61 x 0.66 mm2。
转导提升技术 压控振荡器 晶片设计
黃進芳 江永鎮
國立台灣科技大學電子工程系,台北 10672 台灣
国内会议
昆明
中文
115-118
2010-09-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）