铀表面脉冲辉光等离子氮化研究

摘要：

采用脉冲辉光等离子氮化技术对贫铀进行了表面氮化处理,采用俄歇电子能谱(AES)对氮化层进行元素深度剖析,采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对氮化层组织结构进行了分析表征.结果表明:脉冲偏压-900V、工作氮分压50～100Pa、氮化时间2.5～4h 下在贫铀表面能获得约20μm 厚的氮化层,氮化层为U2N3 的单一立方结构且均匀致密,脉冲辉光等离子氮化技术能在贫铀表面实现氮化.

关键词： 贫铀 表面氮化处理 脉冲辉光等离子体 氮化层组织 结构表征

作者: 陈林 王庆富 白彬 刘柯钊 钟永强

作者单位: 中国工程物理研究院,绵阳 621900

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国核学会2009年学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 2657-2661

在线出版日期: 2009-11-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）