ONO反熔丝结构的电离辐照性能研究

摘要：

描述了ONO反熔丝的物理结构,采用ONO 薄膜传导模型分析了ONO反熔丝结构在受到电离辐照时,其内部电子-空穴的运动规律.分别对ONO反熔丝FPGA A1460A 和A40MX04 进行了电离辐照实验,测试了电流与辐照剂量的关系以及FPGA 功能失效阈值.理论分析和实验数据说明了该结构比单层SiO2 具有较好的抗电离辐照性能.

关键词： ONO反熔丝 电离辐照 电子-空穴对

作者: 杜川华 詹峻岭 赵洪超 朱小锋

作者单位: 中国工程物理研究院电子工程研究所,四川绵阳 621900

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国核学会2009年学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 2836-2840

在线出版日期: 2009-11-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）