典型半导体器件γ剂量率辐射效应数值模拟
根据深亚微米半导体器件辐射效应研究的需要,将粒子输运的蒙特卡罗方法与半导体器件数值模拟的有限体积法相结合,实现了从粒子输运到器件剂量率响应的一体化模拟.利用该方法对不同结构的反向偏置二极管在矩形γ射线脉冲辐照下的瞬态响应过程进行模拟计算,与Enlow 光电流模型和实验结果进行了比较,验证了所建立的方法和程序.计算研究了二极管反向光电流随剂量率的变化关系,以及外延层厚度、脉冲宽度对瞬态光电流的影响.结果表明外延层限制了光电流吸收体积,外延层越薄,光电流峰值越低,下降速度越快;对于相同吸收剂量,脉宽越窄,光电流峰值越高.
蒙卡方法 有限体积法 半导体器件 剂量率 辐射效应
韦源 贡顶 牛胜利 黄流兴
西北核技术研究所,陕西西安 710024
国内会议
北京
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2919-2924
2009-11-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）