深亚微米CMOS随机静态存储器反应堆中子辐射效应实验研究
使用西北核技术研究所自主研制的存储器辐射效应测试系统,选取了0.25 μm 工艺4M 容量和0.13 μm 工艺16M容量的CMOS随机静态存储器(SRAM),在西安脉冲堆进行了中子辐射效应实验,研究了CMOS SRAM 在反应堆中子辐射环境下出现的效应现象.两类存储器存储单元的翻转随中子注量的增长均无明显阈值.通过对实验结果的分析,认为两类深亚微米的SRAM 在西安脉冲堆的中子辐射出现了单粒子翻转效应,出现这种现象的原因是随着器件特征尺寸的减小,存储单元翻转所需要电荷量下降导致.通过对翻转率的比较,说明工艺尺寸越小、集成度越高的存储器越容易发生翻转.
中子辐照 深亚微米 随机静态存储器 单粒子翻转
杨善潮 郭晓强 林东生 陈伟 王桂珍 李瑞宾 白小燕
西北核技术研究所,陕西西安 710024
国内会议
北京
中文
3537-3541
2009-11-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）