不同偏置对NPN双极晶体管的低剂量率电离辐照损伤的影响

摘要：

对NPN双极晶体管进行了低剂量率下不同偏置条件(基-射结反向偏置、正向偏置和零偏置)的电离辐射实验.结果表明,不同偏置条件下的低剂量率辐射损伤具有明显差异.基-射结反向偏置时,其过剩基极电流最大,电流增益衰减最为显著.而基-射结正向偏置时,过剩基极电流和电流增益衰减都最小.最后,根据边缘电场,讨论了出现这种结果的内在机制.

关键词： NPN双极晶体管 低剂量率 偏置条件 电离辐照

作者: 费武雄 赵云 王志宽 杨永晖 陆妩 任迪远 郑玉展 王义元 陈睿 李茂顺 兰博 崔江维

作者单位: 中国科学院新疆理化技术研究所,新疆乌鲁木齐 830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室,新疆乌鲁木齐 830011 中国科学院研究生院,北京 100049 集成电路国家重点实验室,重庆 400060 中国科学院新疆理化技术研究所,新疆乌鲁木齐 830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室,新疆乌鲁木齐 830011

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国核学会2009年学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 3584-3588

在线出版日期: 2009-11-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）