不同偏置条件的10位CMOS模数转换器的辐射效应

摘要：

文中对10 位CMOS ADC7910 在不同偏置条件下的电离辐射效应及退火特性进行了研究.结果表明:模数混合电路在不同偏置条件下的电离辐照响应有很大的差异.高剂量率辐照时,相比加电偏置,零偏条件下的辐射损伤更严重.文中对其损伤机理进行了初步的探讨.

关键词： 模数转换器 60Coγ辐照 室温退火 偏置条件

作者: 陈睿 陆妩 任迪远 郑玉展 王义元 费武雄 李茂顺 兰博

作者单位: 中国科学院新疆理化技术研究所,新疆乌鲁木齐 830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室,新疆乌鲁木齐 830011 中国科学院研究生院,北京 100049 中国科学院新疆理化技术研究所,新疆乌鲁木齐 830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室,新疆乌鲁木齐 830011

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国核学会2009年学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 3589-3594

在线出版日期: 2009-11-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）