国产工艺的部分耗尽SOIPMOSFET总剂量辐照及退火效应研究

摘要：

对国产工艺的部分耗尽SOI PMOSFET 60Coγ射线的总剂量辐照及退火效应进行了研究.结果表明:随着工艺技术的发展,正栅氧化层具有较强的抗辐照加固能力,背栅由于厚度和氧化物质量的原因而对总剂量辐照更加敏感;辐照引入界面态陷阱电荷的散射作用降低了正栅源漏饱和电流;退火过程中界面态陷阱电荷的饱和决定了正栅亚阈曲线的平衡位置,而隧穿或热发射的电子只能中和部分背栅氧化物陷阱电荷,使得退火后背栅曲线仍距初始值有一定负向距离.

关键词： 60Coγ射线 总剂量辐照 退火效应 界面态陷阱电荷 亚阈曲线

作者: 崔江维 余学峰 刘刚 李茂顺 高博 兰博 赵云 费武雄 陈睿

作者单位: 中国科学院新疆理化技术研究所,新疆乌鲁木齐 830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室,新疆乌鲁木齐 830011 中国科学院研究生院,北京 100049 中国科学院新疆理化技术研究所,新疆乌鲁木齐 830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室,新疆乌鲁木齐 830011 中国科学院微电子研究所,北京 100029

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国核学会2009年学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 3595-3599

在线出版日期: 2009-11-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）