国产VDMOS器件总剂量辐射损伤及退火效应研究

摘要：

研究了不同辐射偏置条件下国产N 沟VDMOS器件的总剂量辐射损伤及退火效应.探讨了阈值电压、击穿电压、漏电流、导通电阻等随累积剂量、退火时间的变化关系.实验表明:随着累积剂量的增加,阈值电压负向漂移,但变化在规定的范围内,退火后得到部分恢复;击穿电压变小,在退火后得到很好的恢复,但100℃退火时,在漏加偏置电压的条件下,发生了所谓的”击穿蠕变”现象;漏电流发生漂移,但变化很小,漏电增大得到了很好的改进;导通电阻在辐照及随后的退火实验中无明显的变化.

关键词： VDMOS器件 总剂量 辐射效应 退火效应

作者: 高博 余学峰 任迪远 刘刚 王义元 孙静 文林 李茂顺 崔江维

作者单位: 中国科学院新疆理化技术研究所,新疆乌鲁木齐 830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室,新疆乌鲁木齐 830011 中国科学院研究生院,北京 100049 中国科学院新疆理化技术研究所,新疆乌鲁木齐 830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室,新疆乌鲁木齐 830011 中国科学院微电子研究所,北京 100029

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国核学会2009年学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 3600-3605

在线出版日期: 2009-11-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）