高功率晶闸管开关过压保护的实验研究
分别针对单管和双管串联的情况,测试了阻容吸收电路和静态均压电阻对晶闸管开关性能的影响.得出结论:充电电压越高,正、反向电流峰值及电流上升率越大.对于单个晶闸管,相同的充电电压,阻容吸收电路的加入使得正、反向电流峰值和上升率明显偏大、脉宽略有减小;不同的阻容电阻(2Ω,10Ω)对正向输出电流的幅值、上升率基本没有影响,但是电阻的增大使得反向电流的幅值略有降低而脉宽基本不变,故电流上升率有所降低.对于双管串联,电流幅值并不严格等于单管时的一半,正向电流稍微偏高,反向电流则明显偏低;双管串联使正、反向电流的上升时间急剧减小,尤其是反向电流的上升时间,平均为单管时的1/5.晶闸管的电容特性不能忽略.
晶闸管开关 过压保护 阻容吸收 静态均压电阻 晶闸管电容
苌磊 杨建华 刘列
国防科学技术大学光电科学与工程学院,湖南长沙 410073
国内会议
北京
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3773-3778
2009-11-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）