基于直流磁控溅射方法的InGaZnO薄膜晶体管制备
IGZO-TFT具备较高的迁移率、良好的透明度以及低的制备温度特性，在平板显示器件中有应用前景。本文基于直流磁控溅射方法制备IGZO薄膜，XRD检测结果表明薄膜呈非晶结构;研究了所制备薄膜的导电特性与制备环境中的氧气氛量的关系，发现当溅射通入氧气流量从0 sccm变化到10 sccm时，薄膜的电阻率从3.75Ω·cm增加到1.17×105Ω·cm。以IGZO薄膜作为有源层、ITO玻璃为衬底，制备出了底栅型透明薄膜品体管(TFT)器件，器件沟道的长宽分别为20 μm、50 μm，开关比为2.5×105，电子迁移率为1.33 cm2/V·s，在可见光区域的光透过率高于70％。
IGZO 透明薄膜晶体管 直流磁控溅射
王彬 邓少芝 许宁生 姚彦可 佘峻聪
中山大学光电材料与技术国家重点实验室,广东省显示材料与技术重点实验室,物理科学与工程技术学院,广州 510275
国内会议
南宁
中文
17-21
2010-11-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）