InXGal-xN/GaN多量子阱结构中的相分凝现象研究
利用变温光荧光(PL)、阴极荧光(CL)以及时间分辨光荧光(TRPL)技术研究了具有不同渐变In组分的InxGal-xN／GaN多量子阱结构中的相分凝现象。在三个样品的低温光荧光谱中，除了位于430，463，505 nm处的主峰外，所有的样品都出现了主峰附近的高能和低能峰位，表明在同一样品中存在具有不同In组分的区域。CL图证明了相分凝现象的存在且随着In组分的增加而加剧。而变温光荧光的积分荧光强度分析则表明，激活能随着In组分的增加而减小。15K的TRPL谱的分析结果显示，随着In组分的增加，谱线的上升时间变长，这意味着由于相分凝的存在使得载流了在不同In组分区域输运。
InxGal-xN/GaN 多量子阱结构 相分凝
郭洪英 郭瑨 江飞虹 马思政 陶飞豹 王伟田 孙元平
烟台大学光电信息科学技术学院,山东 264005 太原理工大学物理学院,山西 030024 烟台大学化学生物理工学院,山东 264005
国内会议
南宁
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29-32
2010-11-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）