InGaN光伏材料生长过程中缺陷随厚度的变化关系

摘要：

本文详细分析了GaN上不同厚度较高In组分(～30％)InGaN薄膜的结构和光学特性。不同厚度(40nm、120nm和800nm)的氮化物薄膜在蓝宝石衬底上经金属有机化学气相沉积技术生长获得。高分辨X射线衍射(HRXRD)测量显示：当厚度从40nm增加至800nm时，InGaN层中的应力几乎完全释放。InGaN薄膜厚度从40nm增加到120nm，光敏发光(PL)强度增加;而当样品厚度继续增加至800nm时，发光强度反而下降。分析表明，这些不同厚度的InGaN薄膜具有明显不同的缺陷密度，而且与弛豫度之间存在一定的依赖关系。研究InGaN层晶体缺陷与厚度的物理关系，对降低薄膜位错密度，提高晶体质量，增加InGaN吸收层的光生电流密度和优化InGaN体系太阳能电池结构具有重要意义。

关键词： InGaN外延膜 位错密度 应力释放 光致发光

作者: 张东炎 郑新和 唐龙娟 王辉 董建荣 杨辉

作者单位: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,纳米器件及相关材料研究部,苏州 215125 中国科学院半导体研究所,北京 100083 中国科学院研究生院,北京 100049 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,纳米器件及相关材料研究部,苏州 215125 中国科学院半导体研究所,北京 100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国固体薄膜会议

会议地点: 南宁

会议语种:中文

页码: 33-38

在线出版日期: 2010-11-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）