InGaN薄膜的应变弛豫及其对薄膜结构性质的影响

摘要：

本文研究了在GaN上外延生长InGaN薄膜中应变及缺陷随厚度的变化。研究发现，100 nm厚的In0.11Ga0.89N薄膜与GaN层基本保持共格状态。随着厚度的进一步增加，InGaN层开始弛豫，在弛豫过程中InGaN层中产生了高密度的穿透位错，其In组分从0.11增加到0.2。在InGaN厚膜中存在着应变和In组分梯度变化的过渡层。

关键词： InGaN 位错 金属有机物化学气相沉积 X射线衍射

作者: 王辉 郭希 江德生 朱建军 赵德刚 刘宗顺 张书明 杨辉

作者单位: 中国科学院半导体研究所,北京 100083 中国科学院苏州纳米技术及纳米仿生研究所,苏州 215125

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国固体薄膜会议

会议地点: 南宁

会议语种:中文

页码: 47-49

在线出版日期: 2010-11-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）