源漏电极与沟道接触对ZnO薄膜晶体管的影响

摘要：

室温下采用射频磁控溅射沉积高阻ZnO薄膜作为沟道层，在玻璃衬底上制备出底栅共平面型结构薄膜晶体管(TFT)。对比源漏极分别为Cr和ITO的两种TFT器件，发现两者均具有好的饱和特性，但ITO电极与高阻ZnO能形成更好的欧姆接触，在40V的栅极电压下，ITO电极TFT比Cr电极TFT饱和电流高3个数量级。相同沟道宽长比的TFT，ITO电极TFT具有更优异的电学性能，具有更高的开关态电流比和饱和场效应迁移率。

关键词： ZnO 薄膜晶体管 高电阻率 欧姆接触

作者: 张杰 李喜峰 吕建国 叶志镇

作者单位: 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州 310027 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州 310027 上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室,上海 200072

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国固体薄膜会议

会议地点: 南宁

会议语种:中文

页码: 50-53

在线出版日期: 2010-11-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）