ZnO水热法边缘选择性生长在纳米器件方面的应用

摘要：

通过在ZnO种子层上沉积一层钝化层，这样水热法所制备的纳米杆只会生长于边缘，来得到边缘选择性生长的ZnO纳米杆阵列。该方法能够生长出密度可调的ZnO纳米杆阵列及准平行的ZnO纳米杆阵列。具有适当密度的ZnO纳米杆阵列可以用来制备性能优良的场发射电子源，而准平行的ZnO纳米杆阵列可以用来制备各种纳米器件，例如紫外探测器。水热法边缘选择性生长在纳米器件方面具有较大的应用前景。

关键词： 氧化锌 水热法 场发射 紫外探测器

作者: 刘逆霜 方国家 周海 赵兴中

作者单位: 武汉大学物理科学与技术学院电子科技系,武汉 430072

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国固体薄膜会议

会议地点: 南宁

会议语种:中文

页码: 63-65

在线出版日期: 2010-11-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）