n-ZnO/i-MgZnO/n-GaN异质结电致紫外发光

摘要：

采用射频磁控溅射技术制备了结构简单的n-ZnO／n-GaN同型异质结紫外发光二极管。在此基础上，于ZnO与GaN之间插入i型MgZnO层形成n-ZnO／i-MgZnO／n-GaN发光二极管，呈现出优异的紫外电致发光性能。发光峰位于368 nm附近，半岛宽约7nm，器件的阈值电压是3.0 V，根据能带结构理论研究了器件的电致发光机制。

关键词： ZnO 同型异质结 紫外 电致发光

作者: 李颂战 方国家 龙浩 黄辉晖 莫小明 王皓宁 赵兴中

作者单位: 武汉大学物理科学与技术学院,湖北 武汉 430072

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国固体薄膜会议

会议地点: 南宁

会议语种:中文

页码: 66-68

在线出版日期: 2010-11-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）