退火温度对Fe离子注入GaN薄膜的结构和磁性影响

摘要：

将Fe离子注入在蓝宝石衬底上MOCVD生长的p-GaN薄膜，所用能量为150keV，剂量为1×1016cm-2。对注入后的样品在N2气氛中进行700℃～1000℃的快速热退火处理，保温时间均为60s。利用XRD、FTIR、SEM对样品的微脱结构进行分析，发现注入Fe离子后并在800℃退火时GaN薄膜的晶格结构恢复最好。用VSM对样品磁性进行分析，发现注入Fe离子并退火后材料在室温下具有了磁性。

关键词： GaN 离子注入 快速热退火 结构表征 磁性

作者: 许津津 梅俊平 解新建 郝秋艳 刘彩池

作者单位: 河北工业大学信息功能材料研究所,天津 300130

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国固体薄膜会议

会议地点: 南宁

会议语种:中文

页码: 79-82

在线出版日期: 2010-11-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）