辉光功率对退火后微晶硅薄膜微结构的影响

摘要：

采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制备非晶硅薄膜，然后经快速热退火使其晶化。利用X射线衍射仪(XRD)，拉曼光谱仪(Raman)，扫捕电子显微镜(SEM)和傅立叶变换红外吸收光谱仪(FTIR)对微晶硅薄膜的微结构进行了测试分析。实验结果表明，随着辉光功率的升高，薄膜晶化程度逐渐增加，薄膜质量越来越好，但是当功率继续增加达到100W时，薄膜质量又开始呈下降的趋势，说明存在一个使得薄膜晶化效果达到最好的优化辉光功率(70W)。

关键词： 非晶硅薄膜 微晶硅薄膜 辉光功率 PEVCD

作者: 杨芳 解新建 郝秋艳 张昆 刘彩池

作者单位: 河北工业大学材料学院信息功能材料研究所,天津 300130

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国固体薄膜会议

会议地点: 南宁

会议语种:中文

页码: 104-107

在线出版日期: 2010-11-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）