基于点缺陷调控的Zn/ZnO异质结构薄膜的铁磁性机理
采用磁控溅射方法制备了Znx(ZnO)l-x颗粒薄膜和Zn／ZnO核-壳结构薄膜，对其结构、成份及自旋相关的电磁输运性质进行了研究。结果表明当0.04≤x<0.60时，Znx(ZnO)l-x颗粒薄膜存在铁磁性，样品的饱和磁化强度随Zn含量的增加而升高，当x=0.31时，颗粒膜饱和磁化强度达到最大值3.34 emu／cc，居里温度高于800 K。纳米晶Zn／ZnO核-壳薄膜的ZnO壳层饱和磁化强度高达28 emu／cc，居里温度高于700 K。随着颗粒度的减小，饱和磁化强度增强。结构和磁性分析表明界面处的施主点缺陷是两种体系铁磁性产生的主要原因，其铁磁性符合巡游电子铁磁性机制。
稀磁半导体 室温铁磁性 异质结构薄膜
李鲁艳 程雅慧 杨亦桐 刘晖
南开大学信息技术科学学院,天津 300071
国内会议
南宁
中文
124-128
2010-11-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）