硫掺杂氮化硼薄膜的电学性质
RF射频溅射法制备BN薄膜，使用离子注入法将S注入BN薄膜中进行掺杂，测量了掺杂前后BN薄膜的表面电阻率，并计算掺杂后BN薄膜的激活能。离子注入能量为190KeV,注入剂量在1015ions／cm2-1016ions／cm2之间，薄膜在离子注入后经400℃-800℃退火，并在薄膜表面蒸镀2mm×5mm的铝电极，以测量其电学特性。实验结果表明：离子注入掺杂后的BN薄膜表面电阻率随着S离子注入剂量的增大逐渐降低，薄膜表面电阻率比掺杂前下降了2—3个数量级。经计算得到掺杂后BN薄膜激活能为0.1 8eV。
BN 离子注入 表面电阻率 激活能
邓金祥 秦扬 郭清秀 李廷 杨学良 杨萍
北京工业大学应用数理学院,北京 100124
国内会议
南宁
中文
143-145
2010-11-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）