多晶Fe3-xPtxO4(0≤x≤0.10)薄膜的物理性质研究
利用直流磁控溅射技术制备了多晶Fe3-xPtxO4(0≤x≤0.10)薄膜系列样品。通过对化合价、成份、磁性和电阻率的测量，证明Pt离子掺入到Fe3-xPtxO4晶格的B位，电输运性质由晶粒边界决定，满足热涨落隧穿模型。随掺杂浓度的增加，饱和磁化强度降低，室温电阻率降低，磁电阻和自旋极化率有所下降，但仍然保持较高数值。反常霍尔效应的研究表明，Fe3-xPtxO4的反常霍尔系数比纯铁高近500倍，霍尔电导率与正常电导率之间满足σxy∝σ”xx关系，n的取值范围在1.72～1.57±0.02之间，符合统一标度理论;随着Pt掺杂浓度的增加，n值降低，这与自旋相关散射作用变弱有关。
Fe3O4多晶薄膜 磁电阻 反常霍尔效应
程雅慧 李鲁艳 刘晖
南开大学信息技术科学学院,天津 300071
国内会议
南宁
中文
146-149
2010-11-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）