MOCVD生长GaN薄膜的仿真

摘要：

根据现行氮化镓金属有机物化学气相沉积的生长动力学理论，结合商用垂直喷淋式反应器，运用计算流体力学方法，耦合化学反应动力学和输运过程，对GaN MOCVD生长过程进行全面的仿真。计算得到了相关场、反应产物以及生长速率、寄生沉积速率的分布。在典型的生长工艺下，衬底上GaN生长速率适中而均匀，上壁的寄生沉积速率不足前者的1/10。此外，文中还证明了MMGa为GaN生长的主要来源，而TMGa：NH3则为寄生沉积的主要原因。

关键词： GaN生长 MOCVD 生长速率 寄生沉积速率 计算机仿真

作者: 王国斌 张永红 邱凯 王怀兵 张宝顺 杨辉

作者单位: 中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,江苏 苏州215125 中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,江苏 苏州 215125

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国固体薄膜会议

会议地点: 南宁

会议语种:中文

页码: 182-187

在线出版日期: 2010-11-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）