基于InGaAs的热光伏电池的制备和特性分析

摘要：

本文描述了近期在InGaAs热光伏的生长、制备和器件特性方面做得工作。采用组分渐变的InAsP缓冲层，生长出器件级质量的In0.81Ga0.19As材料，并制备了禁带宽度为0.6eV的热光伏电池。标准太阳光谱下电池的开路电压为0.19V，填充因子为58％，外量子效率接近80％。

关键词： 热光伏电池 开路电压 量子效率

作者: 季莲 陆书龙 赵勇明 任学勇 董建荣

作者单位: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,纳米器件及相关材料研究部,苏州 215125

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国固体薄膜会议

会议地点: 南宁

会议语种:中文

页码: 196-199

在线出版日期: 2010-11-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）