垂直式HVPE系统制备GaN的数值模拟及优化

摘要：

基于流体动力学原理对自行研制的垂直式HVPE系统制备GaN的表面沉积率进行了三维数值模拟。研究表明反应物的出气方式是GaN沉积率均匀性差的根本原因，并对反应室的出气口结构进行了改进。结果表明，在衬底上方合适的位置增加多路对称的Ga源管道可以使GaCl在衬底上方的分布比较均匀，改变了GaN沉积率中间过高而边缘过低的现象，提高了GaN表面沉积率大小的均匀性，为进一步优化反应室结构提供了依据。

关键词： HVPE CFD GaN表面沉积率 管道优化

作者: 焦艳东 翟静会 万尾甜 张辉 薛晶晶 郝秋艳

作者单位: 河北工业大学理学院,300130

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国固体薄膜会议

会议地点: 南宁

会议语种:中文

页码: 204-206

在线出版日期: 2010-11-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）