射频磁控溅射制备a-Si：H薄膜的研究

摘要：

采用射频磁控溅射的方法制备a-Si:H薄膜，由红外、可见和紫外光谱以及拉曼谱标识。在不同溅射功率下制备a-Si：H薄膜。通过红外谱研究了单氢键SiH含量随溅射功率的变化，发现溅射功率为400W到450W之间时单氢键SiH含量较高。测量了a-Si：H薄膜的紫外-可见透射和反射光谱，由Tauc作图法推算出a-Si:H薄膜的光学带隙。

关键词： 氢化非晶硅 红外光谱 紫外光谱 光学带隙 射频磁控溅射

作者: 李廷 邓金祥 郭清秀 秦扬 杨学良 陈光华 曲艳丽

作者单位: 北京工业大学应用数理学院,北京 100124 机器大学国家重点实验室,沈阳 110016

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国固体薄膜会议

会议地点: 南宁

会议语种:中文

页码: 207-209

在线出版日期: 2010-11-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）