InAsxP1-x渐变缓冲层及热光伏电池MOCVD生长研究

摘要：

本文研究了MOCVD技术在InP衬底生长的晶格失配的InGaAs热光伏电池材料和不同组分的InAsxPl-x(x=7.62～32.5)外延层。通过优化InAsxPl-x缓冲层结构，在InP上建立了与In0.68Ga0.32As晶格匹配的“虚拟”衬底，使应力完全弛豫在缓冲层内，消除InP与In0.68Ga0.32As的1.3％晶格失配。利用高分辨X射线衍射及TEM等手段进行测试分析，结果表明利用InAsxPl-x缓冲层作为“虚拟”衬底在红外光电器件不和高速Ⅲ-Ⅴ族器件中是非常有应用前景的。

关键词： InASxP1-x 应力释放 I热光伏电池 MOCVD技术

作者: 赵勇明 陆书龙 季莲 任雪勇 董建荣

作者单位: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 纳米器件及相关材料研究部,苏州 215125

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国固体薄膜会议

会议地点: 南宁

会议语种:中文

页码: 210-214

在线出版日期: 2010-11-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）