负偏压对多弧离子镀TiN薄膜结构和沉积速率的影响
采用多弧离子镀设备在抛光后的高速钢表面沉积TiN薄膜,在其他参数不变的情况下,着重考察偏压对薄膜的沉积速率的影响。实验结果表明,随着负偏压的增加,沉积速率不断增加,但在一定的负偏压达到最大值后,沉积速率又随偏压增大而减小。
多弧离子镀 TiN薄膜 负偏压 沉积速率
佟莉娜 黄美东 李鹏 张琳琳 王丽格
天津师范大学 物理与电子信息学院,天津 300387
国内会议
南宁
中文
224-246
2010-11-29(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)