硅基锗薄膜外延及锗MOS电容的界面特性研究

摘要：

采用低温Ge和SiGe／Ge超晶格相结合，吸收过滤因晶格失配在硅／锗界面处产生的失配位错向表面的穿透，制备出低位错密度、高质量的硅基Ge单晶薄膜。在具有硅盖层的硅基锗外延材料上，通过热氧化形成二氧化硅绝缘层，制备出硅基Ge MOS电容，研究了氧化物介质与锗界面物理结构对电学特性的影响。

关键词： 硅基锗外延层 MOS电容 位错密度 界面性质

作者: 李成 郑元宇 陈诚钊 黄诗浩 黄魏 赖虹凯 陈松岩

作者单位: 厦门大学物理系,半导体光子学研究中心,福建 厦门 361005

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国固体薄膜会议

会议地点: 南宁

会议语种:中文

页码: 254-256

在线出版日期: 2010-11-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）