金辅助MOCVD生长InP/GaAs轴向异质结构纳米线的研究

摘要：

本文采用金辅助金属有机物化学气相沉积法在GaAs(111)B衬底上生长了InP／GaAs轴向串接异质结构纳米线。扫描电子显微镜分析表明，GaAs纳米线部分整齐排列垂直于衬底，生长在GaAs纳米线上的InP纳米线沿着GaAs纳米线侧壁向衬底方向生长，生长的InP／GaAs纳米线异质结构具有复杂而多样的形貌的特点。此外，本文详细分析了导致InP／GaAs纳米线生长方向混乱的机理。

关键词： 纳米线异质结构 气液固生长机制 金属有机化学气相沉淀法

作者: 叶显 黄辉 蔡世伟 郭经纬 任晓敏 王琦 张霞 黄永清

作者单位: 信息光子学与光通信教育部重点实验室,北京邮电大学,北京 100876

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国固体薄膜会议

会议地点: 南宁

会议语种:中文

页码: 257-259

在线出版日期: 2010-11-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）