分子束外延生长硅基Ge1-xSnx合金薄膜

摘要：

使用高质量的Ge薄膜作为缓冲层，在Si(001)衬底上分子束外延生长出了晶体质量很好的、没有发生Sn表面分凝的Gel-xSnx(x=0.025、0.052和0.078)合金薄膜。Sn含量比较低时(～2.5％)，Gel-xSnx合金在500℃下可以稳定，因此有望在Si基光电子器件中得到应用。

关键词： 锗锡合金 锗 硅基 外延生长

作者: 苏少坚 汪巍 胡炜玄 张广泽 成步文 王启明

作者单位: 中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点实验室,北京 100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国固体薄膜会议

会议地点: 南宁

会议语种:中文

页码: 263-264

在线出版日期: 2010-11-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）