溅射系统中(Ar&H)-Si系等离子体的Langmuir探针诊断

摘要：

本文采用Langmuir探针对不同氢气流量下溅射系统中(Ar&H)-Si系等离子体进行了诊断，分析了离子密度、离子流通量、等离子体悬浮电位、电子密度、电子温度等参量的变化规律。结果表明，在同一个空间点上离子流通量随靶电流和氢分压的增大而增大，相对应的离子密度也会增加。电子密度随氢分压的增大降低，电子温度在改变靶电流和氢分压时都会发生波动式的变化。氢分压增大时，非品硅薄膜的沉积速率会先增大后减小。

关键词： 磁控溅射 Langmuir探针 氢分压 等离子体

作者: 郭维华 蒋百灵 李洪涛 曹政 郭烈萍

作者单位: 广西大学材料科学与工程学院,南宁 530004 西安理工大学材料学院,西安 710048

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国固体薄膜会议

会议地点: 南宁

会议语种:中文

页码: 265-268

在线出版日期: 2010-11-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）